問(wèn)題答疑
一、靶材的用途
1、用于顯示器上
靶材目前被普遍應(yīng)用于平面顯示器（FPD)上。近年來(lái)，平面顯示器在市場(chǎng)上的應(yīng)用率逐年增高，同時(shí)也帶動(dòng)了ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。ITO靶材有兩種，一種是采用銦錫合金靶材，另外一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結(jié)。
2、用于微電子領(lǐng)域
靶材也被應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，相對(duì)來(lái)說(shuō)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是比較苛刻的。現(xiàn)在12英寸（300衄口）的硅晶片也被制作出來(lái)，但是互連線的寬度卻在減小。目前硅片制造商對(duì)于靶材的要求都是大尺寸、高純度、低偏析以及細(xì)晶粒等，對(duì)其品質(zhì)要求比較高，這就要求靶材需要具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。
3、用于存儲(chǔ)技術(shù)上
存儲(chǔ)技術(shù)行業(yè)對(duì)于靶材的需求量很大，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，離不開大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用比較廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展，用它制造出來(lái)的磁光盤有著使用壽命長(zhǎng)、存儲(chǔ)容量大以及可反復(fù)無(wú)接觸擦寫的特點(diǎn)。
二、靶材的結(jié)構(gòu)組成
1、靶坯
靶坯屬于靶材的核心部分，它是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料涉及高純金屬、晶粒取向調(diào)控。在濺射鍍膜過(guò)程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子就會(huì)被濺射飛散出來(lái)并且沉積在基板上制成電子薄膜。
2、背板
背板主要是用于固定濺射靶材，涉及到了焊接工藝。由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程。機(jī)臺(tái)內(nèi)是高電壓、高真空環(huán)境，所以超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過(guò)不同的焊接工藝進(jìn)行接合，也因此，背板也需要具有良好的導(dǎo)熱、導(dǎo)電性能。
1、用于顯示器上
靶材目前被普遍應(yīng)用于平面顯示器（FPD)上。近年來(lái)，平面顯示器在市場(chǎng)上的應(yīng)用率逐年增高，同時(shí)也帶動(dòng)了ITO靶材的技術(shù)與市場(chǎng)需求。ITO靶材有兩種，一種是采用銦錫合金靶材，另外一種是采用納米狀態(tài)的氧化銦和氧化錫粉混合后燒結(jié)。
2、用于微電子領(lǐng)域
靶材也被應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，相對(duì)來(lái)說(shuō)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)于靶材濺射薄膜的品質(zhì)要求是比較苛刻的。現(xiàn)在12英寸（300衄口）的硅晶片也被制作出來(lái)，但是互連線的寬度卻在減小。目前硅片制造商對(duì)于靶材的要求都是大尺寸、高純度、低偏析以及細(xì)晶粒等，對(duì)其品質(zhì)要求比較高，這就要求靶材需要具有更好的微觀結(jié)構(gòu)。
3、用于存儲(chǔ)技術(shù)上
存儲(chǔ)技術(shù)行業(yè)對(duì)于靶材的需求量很大，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，離不開大量的巨磁阻薄膜材料，CoF~Cu多層復(fù)合膜是如今應(yīng)用比較廣泛的巨磁阻薄膜結(jié)構(gòu)。磁光盤需要的TbFeCo合金靶材還在進(jìn)一步發(fā)展，用它制造出來(lái)的磁光盤有著使用壽命長(zhǎng)、存儲(chǔ)容量大以及可反復(fù)無(wú)接觸擦寫的特點(diǎn)。
二、靶材的結(jié)構(gòu)組成
1、靶坯
靶坯屬于靶材的核心部分，它是高速離子束流轟擊的目標(biāo)材料涉及高純金屬、晶粒取向調(diào)控。在濺射鍍膜過(guò)程中，靶坯被離子撞擊后，其表面原子就會(huì)被濺射飛散出來(lái)并且沉積在基板上制成電子薄膜。
2、背板
背板主要是用于固定濺射靶材，涉及到了焊接工藝。由于高純度金屬?gòu)?qiáng)度較低，而濺射靶材需要安裝在專用的機(jī)臺(tái)內(nèi)完成濺射過(guò)程。機(jī)臺(tái)內(nèi)是高電壓、高真空環(huán)境，所以超高純金屬的濺射靶坯需要與背板通過(guò)不同的焊接工藝進(jìn)行接合，也因此，背板也需要具有良好的導(dǎo)熱、導(dǎo)電性能。
- 下一個(gè)：靶材的制備要求及選用原則